以MoS₂为代表的二维半导体具有原子级厚度、无悬挂键表面、可调能带结构及高迁移率等优势，是后摩尔时代构筑新型晶体管器件的理想沟道材料。然而，如何实现高效的电学接触是实现二维晶体管实际应用的巨大挑战。基于常规蒸镀法的传统电极制备方法，通常会引入界面无序态，转移电极技术难以避免界面污染，都会造成金属电极与二维半导体沟道之间的接触电阻增大，器件性能显著降低。基于此，本文利用低温范德华外延生长技术，在二维半导体材料上实现了二维金属电极镉的低温可控制备，系统研究了二维金属电极、电极与沟道材料之间界面的结构、性质与电学性能，构筑了高性能的二维晶体管，实现了二维金属-半导体的高质量接触。以半导体性的二维MoS₂作为沟道材料，以金属性的二维Cd作为接触电极材料，在SiO₂/Si衬底上构筑了背栅场效应晶体管。系统的电学输运性能研究表明，基于低温条件下制备的二维Cd-MoS₂晶体管展现了优异的电学性能：接触电阻低至70-100 Ω·µm，开态电流密度高达942 μA/μm，开关比超过10⁸，迁移率可达160 cm ²V⁻¹ s⁻¹。解决了二维半导体材料与传统电极接触电阻高的问题，实现了基于二维半导体的高性能晶体管构筑。

该论文以“2D Cd metal contacts via low-temperature van der Waals epitaxy towards high-performance 2D transistors”为题发表于国际顶级期刊⟪Nature Communications⟫。温州大学为第一通讯单位，我院22级硕士生岳敏为第一作者。加拿大28开奖 赵梅博士、王佩剑副研究员、张礼杰教授、王舜教授为共同通讯作者，相关工作得到了国家自然科学基金的支持。

原文链接：//www.nature.com/articles/s41467-025-59174-7

一审：张礼杰课题组

二审：温正灿

三审：雷云祥